Micron 提供“第 6 代 10nm”DRAM 樣品...三星·它比 SK 快

美光宣佈已向 Intel 和 AMD 等潛在客戶交付基於 1γ （gamma） 工藝的 DDR5 樣品。

1γ 與上一代 DRAM 性能對比表（照片=微米）

1γ 是第 6 代 10 奈米級 DRAM，將於今年開始量產。線寬在 11~12nm 水準。在韓國半導體行業，如三星電子和SK海力士，這被稱為1cDRAM。

美光表示：「我們在業內首次向一些合作夥伴和客戶交付了用於下一代 CPU 的 1γ DDR5 樣品，“並補充說，”它將首先用於 16Gb（千兆位）DDR5，然後它將回應 AI 對高性能和高效率記憶體的需求。

基於 1γ 的 16Gb DDR5 提供高達 9200MT/s 的數據處理速度。與上一代產品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

新應用的製造工藝也很明顯。美光宣佈將從 1γ DRAM 開始引入 EUV（極紫外）工藝。EUV 是光刻過程中用於雕刻半導體電路的光源。與傳統的 DUV（深紫外）光相比，光的波長更短，有利於超精細工藝。三星電子和 SK 海力士也已經將 EUV 應用於其尖端 DRAM。

“1γ DRAM 採用最先進的工藝，如 EUV 光刻技術和高深寬比蝕刻技術，支持行業領先的比特密度，”美光表示，並補充說，美光的 DRAM 技術和製造策略經過幾代驗證，使我們能夠優化工藝。

據報導，美光的 1γ DRAM 樣品已運送給 AMD 和 Intel 等客戶，目前正在進行評估過程。

與此同時，三星電子和 SK 海力士等韓國公司也準備將第 6 代 10 奈米級 DRAM 商業化。

特別是，三星電子計劃搶先將 1C DRAM 應用於 HBM4（第 6 代高頻寬記憶體）。因此，據瞭解，重新設計目前正在朝著與現有設計相比增加晶元尺寸的方向進行，以提高產量和穩定性。預計改進後的產品最快能在1~2個月內確認具體效果。

與此同時，三星電子也在投資 1C DRAM 的大規模生產設施。自去年年底以來，平澤第 4 校區 （P4） 小規模生產線建設的設備訂單已經開始。根據 1C DRAM 的發展狀況，還提到了額外投資的可能性。

據報導，上個月，SK 海力士完成了 1c DRAM 的量產認證。目前，SK海力士根據其上一代1b DRAM的工藝技術，被評估為實現了相對穩定的1c DRAM良率。